Техникалык шарттар

• сериясы
  F-RAM™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• эс түрү
  Non-Volatile
• эс форматы
  FRAM
• технология
  FRAM (Ferroelectric RAM)
• эс өлчөмү
  4Kb (512 x 8)
• эс интерфейси
  SPI
• саат жыштыгы
  20 MHz
• жазуу цикл убактысы - сөз, бет
  -
• мүмкүндүк алуу убактысы
  -
• чыңалуу - берүү
  2.7V ~ 3.6V
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 85°C (TA)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SOIC