Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Standard
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  40V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  43A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  10mOhm @ 26A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.9V @ 25µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  33nC @ 10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1060pF @ 25V
• күч - макс
  34W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-PowerTDFN
• берүүчү аппараттын пакети
  PQFN (5x6)