Техникалык шарттар

• сериясы
  SIPMOS®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  60 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  170mA (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8Ohm @ 170mA, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2V @ 20µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1.5 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  19 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  360mW (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  SOT-23-3
• пакет / кап
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3