Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• жетектелген конфигурация
  Half-Bridge
• канал түрү
  3-Phase
• айдоочулардын саны
  6
• дарбаза түрү
  IGBT, N-Channel MOSFET
• чыңалуу - берүү
  10V ~ 20V
• логикалык чыңалуу - vil, vih
  0.8V, 2V
• учурдагы - жогорку чыгуу (булак, чөгүп)
  250mA, 500mA
• киргизүү түрү
  Inverting
• жогорку каптал чыңалуу - макс (жүктөө)
  1200 V
• көтөрүлүү / түшүү убактысы (тип)
  90ns, 40ns
• иштөө температурасы
  125°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• берүүчү аппараттын пакети
  28-SOIC