Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®, StrongIRFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  75 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  68A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  6V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8mOhm @ 41A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.7V @ 100µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  4030 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  83W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PQFN (5x6)
• пакет / кап
  8-PowerTDFN