Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Logic Level Gate
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  13A, 28A
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8.6mOhm @ 12A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.35V @ 25µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  12nC @ 4.5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1060pF @ 15V
• күч - макс
  2.4W, 3.4W
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  18-PowerVQFN
• берүүчү аппараттын пакети
  PQFN (5x6)