Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  64A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  12mOhm @ 34A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  33 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±16V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1650 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  94W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-262
• пакет / кап
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA