Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• igbt түрү
  -
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  16 A
• ток - коллектордук импульс (ICM)
  40 A
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  6V @ 15V, 10A
• күч - макс
  150 W
• энергияны алмаштыруу
  2.5mJ (off)
• киргизүү түрү
  Standard
• дарбаза акысы
  65 nC
• td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
  15ns/250ns
• сыноо абалы
  1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
  25 ns
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-263HV