Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• igbt түрү
  -
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  3000 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  34 A
• ток - коллектордук импульс (ICM)
  88 A
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• күч - макс
  180 W
• энергияны алмаштыруу
  -
• киргизүү түрү
  Standard
• дарбаза акысы
  46 nC
• td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
  36ns/100ns
• сыноо абалы
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
  1.6 µs
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-263