Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• igbt түрү
  -
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  3600 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  70 A
• ток - коллектордук импульс (ICM)
  220 A
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• күч - макс
  430 W
• энергияны алмаштыруу
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• киргизүү түрү
  Standard
• дарбаза акысы
  110 nC
• td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
  18ns/238ns
• сыноо абалы
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
  1.7 µs
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-268