Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• жетектелген конфигурация
  Low-Side
• канал түрү
  Independent
• айдоочулардын саны
  2
• дарбаза түрү
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• чыңалуу - берүү
  4.5V ~ 35V
• логикалык чыңалуу - vil, vih
  0.8V, 3V
• учурдагы - жогорку чыгуу (булак, чөгүп)
  2A, 2A
• киргизүү түрү
  Inverting
• жогорку каптал чыңалуу - макс (жүктөө)
  -
• көтөрүлүү / түшүү убактысы (тип)
  7.5ns, 6.5ns
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SOIC-EP