Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• igbt түрү
  -
• конфигурация
  Full Bridge
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  3000 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  34 A
• күч - макс
  150 W
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• ток - коллектордун кесилиши (макс)
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (cies) @ vce
  -
• киргизүү
  Standard
• ntc термистору
  No
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  24-SMD Module, 9 Leads
• берүүчү аппараттын пакети
  24-SMPD