Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  700 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  25A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс) @ id
  -
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  -
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  -
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  D3Pak
• пакет / кап
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA