Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  50 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  70mA (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.5V, 4V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  23Ohm @ 40mA, 4V
• vgs(th) (макс) @ id
  -
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1.4 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  7.4 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  250mW (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  3-CP
• пакет / кап
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3