Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  75 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  14A (Ta), 75A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8.5mOhm @ 45A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 100µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  77 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  3.001 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  4.4W (Ta), 125W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PQFN (5x6)
• пакет / кап
  8-PowerTDFN