Техникалык шарттар

• сериясы
  Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  45A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  11.1mOhm @ 45A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2V @ 85µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  55 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  +5V, -16V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  3770 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  58W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PG-TO263-3-2
• пакет / кап
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB