Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Logic Level Gate
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  5.2A
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  700mV @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  660pF @ 15V
• күч - макс
  2W
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SO