Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  8 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  5.4A (Tj)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.8V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  25mOhm @ 5.4A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  30 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2.4 pF @ 6.4 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.3W (Ta)
• иштөө температурасы
  -
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  ChipFET™
• пакет / кап
  8-SMD, Flat Lead