Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• транзистор түрү
  1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• ток - коллектор (ic) (макс)
  100mA, 3A
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  50V, 20V
• резистор - база (r1)
  2.2kOhms
• резистор - эмитент базасы (r2)
  2.2kOhms
• туруктуу токтун күчөшү (hfe) (мин) @ ic, vce
  30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• vce каныккандыгы (макс) @ ib, ic
  150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• ток - коллектордун кесилиши (макс)
  1µA, 100nA
• жыштык - өтүү
  100MHz
• күч - макс
  1.5W
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SO