Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  55 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (макс) @ id
  2V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±13V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  SC-73
• пакет / кап
  TO-261-4, TO-261AA