Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  17A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  7.3mOhm @ 17A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1.77 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  -
• иштөө температурасы
  -
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  8-DFN3333 (3.3x3.3)
• пакет / кап
  8-VDFN Exposed Pad