Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  1.4A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  240mOhm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  2 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  70 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  Schottky Diode (Isolated)
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1W (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  TUMT5
• пакет / кап
  6-SMD (5 Leads), Flat Lead