Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• жетектелген конфигурация
  Half-Bridge
• канал түрү
  Independent
• айдоочулардын саны
  2
• дарбаза түрү
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• чыңалуу - берүү
  17V (Max)
• логикалык чыңалуу - vil, vih
  1.1V, 1.8V
• учурдагы - жогорку чыгуу (булак, чөгүп)
  400mA, 650mA
• киргизүү түрү
  Inverting
• жогорку каптал чыңалуу - макс (жүктөө)
  600 V
• көтөрүлүү / түшүү убактысы (тип)
  70ns, 40ns
• иштөө температурасы
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• берүүчү аппараттын пакети
  -