Техникалык шарттар

• сериясы
  U-MOSIX-H
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  15A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8.9mOhm @ 4A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.1V @ 100µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  7.5 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1130 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.25W (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C (TA)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  6-UDFNB (2x2)
• пакет / кап
  6-WDFN Exposed Pad