Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  12 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  8A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.8V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  17.5mOhm @ 9A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  90 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2600 pF @ 6 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2W (Ta), 4.2W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  6-TSOP
• пакет / кап
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6