SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Obsolete
  • фет түрү
    2 P-Channel (Dual)
  • fet өзгөчөлүгү
    Logic Level Gate
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    12V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    7.4A
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    14mOhm @ 9.8A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ id
    1V @ 500µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    70nC @ 4.5V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    -
  • күч - макс
    1.1W
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • берүүчү аппараттын пакети
    8-SO

SI4933DY-T1-E3 Баасын суроо

Кампада 4754
Саны:
Максаттуу баа:
Бардыгы:0

Маалымат жадыбалы