SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    2 P-Channel (Dual)
  • fet өзгөчөлүгү
    Logic Level Gate
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    60V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    3.2A
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    64mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ id
    3V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    40nC @ 10V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    -
  • күч - макс
    1.5W
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • берүүчү аппараттын пакети
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7949DP-T1-GE3 Баасын суроо

Кампада 12535
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
1.72000
Максаттуу баа:
Бардыгы:1.72000

Маалымат жадыбалы