SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз

Description

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    12 V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    12A (Tc)
  • диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
    1.5V, 4.5V
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    29mOhm @ 6.7A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ id
    1V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    57 nC @ 8 V
  • vgs (максимум)
    ±8V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    1800 pF @ 10 V
  • fet өзгөчөлүгү
    -
  • кубаттуулукту сарптоо (макс)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • берүүчү аппараттын пакети
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • пакет / кап
    PowerPAK® SC-70-6

SIA413DJ-T1-GE3 Баасын суроо

Кампада 21360
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.98000
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.98000

Маалымат жадыбалы