Техникалык шарттар

• сериясы
  Z-FET™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1025nC @ 20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  11700pF @ 600V
• күч - макс
  1660W
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module, Screw Terminals
• берүүчү аппараттын пакети
  Module