Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  4A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  2.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  50mOhm @ 4A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.3V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±12V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  645 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.4W (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  SOT-23-3
• пакет / кап
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3