Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  3.9A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.8V, 8V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  60mOhm @ 500mA, 8V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1.677 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±12V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  192 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  790mW
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  X4-DSN1006-3
• пакет / кап
  3-XFDFN