Техникалык шарттар

• сериясы
  eGaN®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet өзгөчөлүгү
  GaNFET (Gallium Nitride)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  100V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• күч - макс
  -
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  9-VFBGA
• берүүчү аппараттын пакети
  9-BGA (1.35x1.35)