Техникалык шарттар

• сериясы
  eGaN®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  GaNFET (Gallium Nitride)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  65 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  2.7A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  130mOhm @ 500mA, 5V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  0.45 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  +6V, -4V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  52 pF @ 32.5 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  -
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  Die
• пакет / кап
  Die