Техникалык шарттар

• сериясы
  G2R™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  3300 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  20V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  1.2Ohm @ 2A, 20V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.5V @ 2mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  21 nC @ 20 V
• vgs (максимум)
  +20V, -5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  238 pF @ 1000 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  74W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-263-7
• пакет / кап
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA