Техникалык шарттар

• сериясы
  CoolSiC™+
• пакет
  Tray
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  25A (Tj)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
• vgs(th) (макс) @ id
  5.55V @ 10mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  62nC @ 15V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1840pF @ 800V
• күч - макс
  20mW
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  AG-EASY1BM-2