Техникалык шарттар

• сериясы
  CoolGaN™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  GaNFET (Gallium Nitride)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  600 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  31A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс) @ id
  1.6V @ 2.6mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  -10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  380 pF @ 400 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  125W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PG-DSO-20-87
• пакет / кап
  20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)