IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

Өндүрүүчү

IR (Infineon Technologies)

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Not For New Designs
  • фет түрү
    2 N-Channel (Dual)
  • fet өзгөчөлүгү
    Logic Level Gate
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    30V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    9.7A
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ id
    2.35V @ 25µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    760pF @ 15V
  • күч - макс
    2W
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • берүүчү аппараттын пакети
    8-SO

IRF8313TRPBF Баасын суроо

Кампада 29159
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.71000
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.71000

Маалымат жадыбалы