Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  60A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.55V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  48W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  IPAK (TO-251)
• пакет / кап
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA