Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  100 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  42A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  14mOhm @ 38A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 100µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  48 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±16V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  3980 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  140W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  D-Pak
• пакет / кап
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63