Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• igbt түрү
  -
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  3600 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  70 A
• ток - коллектордук импульс (ICM)
  420 A
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• күч - макс
  290 W
• энергияны алмаштыруу
  -
• киргизүү түрү
  Standard
• дарбаза акысы
  210 nC
• td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
  46ns/205ns
• сыноо абалы
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
  1.7 µs
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• пакет / кап
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• берүүчү аппараттын пакети
  ISOPLUS i4-PAC™