Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• igbt түрү
  -
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  42 A
• ток - коллектордук импульс (ICM)
  265 A
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  6V @ 15V, 21A
• күч - макс
  357 W
• энергияны алмаштыруу
  3.43mJ (on), 430µJ (off)
• киргизүү түрү
  Standard
• дарбаза акысы
  188 nC
• td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
  19ns/200ns
• сыноо абалы
  850V, 21A, 1Ohm, 15V
• кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
  330 ns
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• пакет / кап
  TO-247-3
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-247AD (IXBH)