Техникалык шарттар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• igbt түрү
  -
• конфигурация
  Single
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  145 A
• күч - макс
  625 W
• vce(on) (макс) @ vge, ic
  3.1V @ 15V, 75A
• ток - коллектордун кесилиши (макс)
  25 µA
• киргизүү сыйымдуулугу (cies) @ vce
  6.93 nF @ 25 V
• киргизүү
  Standard
• ntc термистору
  No
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  SOT-227-4, miniBLOC
• берүүчү аппараттын пакети
  SOT-227B