Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1000 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  100mA (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  80Ohm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  4.5V @ 25µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  6.9 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  54 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  25W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-252AA
• пакет / кап
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63