Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• жетектелген конфигурация
  Half-Bridge
• канал түрү
  Independent
• айдоочулардын саны
  2
• дарбаза түрү
  N-Channel MOSFET
• чыңалуу - берүү
  8V ~ 12.6V
• логикалык чыңалуу - vil, vih
  0.8V, 2V
• учурдагы - жогорку чыгуу (булак, чөгүп)
  2A, 2A
• киргизүү түрү
  Non-Inverting
• жогорку каптал чыңалуу - макс (жүктөө)
  175 V
• көтөрүлүү / түшүү убактысы (тип)
  65ns, 65ns
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SOIC-EP