Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  171A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  16mOhm @ 80A, 20V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.8V @ 2mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  464nC @ 20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  6040pF @ 1000V
• күч - макс
  728W (Tc)
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  SP6-P