Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchMOS™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  40 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  200A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  1.8mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.05V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  109 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  7966 pF @ 20 V
• fet өзгөчөлүгү
  Schottky Diode (Body)
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  194W (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  LFPAK56, Power-SO8
• пакет / кап
  SC-100, SOT-669