Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bag
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  100 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  20A
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±15V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  Logic Level Gate, 4V Drive
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  105W (Tc)
• иштөө температурасы
  175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-220
• пакет / кап
  TO-220-3