Техникалык шарттар

• сериясы
  Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  100 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  2A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  220mOhm @ 2A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.8V @ 218µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  14.3 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  329 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2W (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PG-TSOP6-6
• пакет / кап
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6