Техникалык шарттар

• сериясы
  PowerTrench®
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  2.5V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  150mOhm @ 2.2A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  5.2 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±12V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  369 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  Schottky Diode (Isolated)
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  960mW (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  SuperSOT™-6
• пакет / кап
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6