Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• транзистор түрү
  PNP - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс)
  100 mA
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  50 V
• резистор - база (r1)
  22 kOhms
• резистор - эмитент базасы (r2)
  22 kOhms
• туруктуу токтун күчөшү (hfe) (мин) @ ic, vce
  56 @ 5mA, 5V
• vce каныккандыгы (макс) @ ib, ic
  300mV @ 500µA, 10mA
• ток - коллектордун кесилиши (макс)
  100nA (ICBO)
• жыштык - өтүү
  200 MHz
• күч - макс
  300 mW
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• пакет / кап
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-92-3